质料人述讲丨窄带隙半导体质料钻研述讲 – 质料牛

质料人述讲推出半导体质料钻研述讲，质料窄带质料钻研质料此前已经宣告质料人述讲丨宽带隙半导体质料钻研述讲。人述本文为第两篇：窄带隙半导体质料

【简介】

钻研者同样艰深将带隙低于3 eV的讲丨质料界讲为窄带隙半导体（小编暂已经收现对于窄带隙质料有宽厉的界讲）。由于窄带隙半导体质料具备劣秀的隙半吸光功能(同样艰深去讲带隙越小收受光谱规模越广)，因此窄带隙半导体普遍操做于光电规模。导体正在质料科教规模，述讲窄带隙半导体质料尾要扩散正在三块钻研标的质料窄带质料钻研质料目的：其一是基于传统氧化物、硫化物、人述钒酸盐等窄带隙质料的讲丨光催化规模；其两是基于两维质料（乌磷、过渡金属硫化物等窄带隙半导体质料）的隙半光电子规模；其三是基于新型窄带隙共轭散开物质料的有机散开物太阳能电池规模。那三个标的导体目的皆是质料科教规模的尾要去世少标的目的。因此，述讲调研窄带隙半导体质料的质料窄带质料钻研质料相闭文献的收神彩况是质料牛网的职责地址。

【SCI收文情景】

本次查问制访述讲以Web of Science为检索工具，人述以narrow-band-gap为闭头词检索患上到如下数据。讲丨妨碍2018年5月9日， SCI共支录闭于窄禁带半导体质料的研分割文共5009篇，上里是收文情景的详细阐收：

1. 年度收文统计

图1 不开年份宣告的论文数

从统计数据中可能看出闭于窄带隙半导体质料的相闭论文数总体上呈现上降趋向。正在2017年一年内宣告数目已经抵达500篇以上。那申明钻研者对于窄带隙半导体质料的钻研激情亲密愈去愈下，也申明该类质料正在科研规模至关热面。

2. 收文典型统计

图2 宣告文章典型统计

闭于窄带隙半导体质料钻研圆里，历年宣告的文章收罗论文、会讨论文、综述战其余等，其中论文战会讨论文占总数目的尽小大少数。

3. 不开钻研标的目的收文统计

图3 不开钻研标的目的论文数目统计

以上为历年不开钻研标的目的论文数目统计图。从收文标的目的可能看出，窄带隙半导体质料的操做规模颇为普遍。其中物理、质料科教战工程类标的目的是钻研的主流。此外，该类质料波及的钻研规模跨度也颇为小大，从物理到化教再到能源，导致数教规模皆有颇为多的钻研，申明该类质料操做远景颇为卓越。

4. 收文量居前十位的期刊战收文数目

表1 宣告文章数排名前10的尾要期刊

从宣告论文数目去看，物理类期刊对于窄带隙半导体质料的述讲至多，其次是质料科教类，而且宣告数目排前十的期刊宣告总数只占残缺该类文章的23.4%，那申明有良多其余杂志皆对于窄带隙半导体质料的钻研妨碍了报道。

5. 宣告论文至多的机构

表2 宣告文章数排名前10的钻研机构

随着窄带隙半导体质料的钻研愈去愈热面，齐球的科研机构皆正在自动的投进相闭钻研。从表2可能看出中国科教院下居收文榜第一，数目下达602篇，俄罗斯科教院战好国能源部松跟后去。

6. 最具影响力的钻研职员

表3 下被引文章中被引次数排名前10

窄带隙半导体质料钻研的下被引文章一共90篇，热面文章5篇。表3是下被引文章中被引次数排名前10的文章与钻研职员的统计情景。其中中国籍教者占了一半之数。

【专利收神彩况】

凭证WIPO数据对于narrow-band-gap 质料的相闭专利收神彩况妨碍了检索并统计，妨碍2018年宣告专利总数抵达756篇，上里是宣告数古晨五的国家战2008至2018年十年内专利宣告的统计图表。

1. 窄带隙半导体质料相闭专利宣告数前五国家

图4 窄带隙半导体质料相闭专利数宣告前五的国家

2. 窄带隙半导体质料相闭专利每一年宣告数目

图5 窄带隙半导体质料从2008年至古的每一年宣告趋向

【典型推选】

小编以上分说从SCI收文数目战专利宣告数目两个标的目的对于窄带隙半导体质料妨碍了系统的调研述讲。钻研收现从SCI收文数目去看，钻研者闭于窄带隙半导体质料的钻研愈去愈水。从专利收神彩况去看，闭于窄带隙半导体质料的专利数正在2014年抵达最下。如下是小编汇总的窄带隙半导体质料分说正在光催化、两维质料战有机太阳能电池规模下被引文章各两篇。

1.Review on Modified TiO₂Photocatalysis under UV/Visible Light: Selected Results and Related Mechanisms on Interfacial Charge Carrier Transfer Dynamics. (2011, Journal of Physical Chemistry A, DOI: 1021/jp204364a)

2.Bridging the g-C₃N₄Interlayers for Enhanced Photocatalysis. (2016, ACS Catalysis, DOI: 1021/acscatal.5b02922)

3.Crossover of the three-dimensional topological insulator Bi₂Se₃to the two-dimensional limit. (2010, Nature Physics, DOI: 1038/NPHYS1689)

4.Broadband Few-Layer MoS₂Saturable Absorbers. (2014, Advanced Materials, DOI: 10.1002/adma.201306322)

5.High-Performance Electron Acceptor with Thienyl Side Chains for Organic Photovoltaics. (2016, Journal of the American Chemical Society, DOI: 1021/jacs.6b02004 )

6.Efficiency enhancement in low-band gap polymer solar cells by processing with alkane dithiols. (2007, Nature Materials, DOI: 1038/nmat1928)

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